第四代半導體意指鑽石、氮化鋁（AlN）、β-氧化鎵等超寬能隙（UWBG）半導體材料，相較前三代半導體具有更寬的能隙（bandgap）、平日大於3.4 eV，使其在高功率、高頻、高溫情況下表示更優異，可運用於電動車與快充手藝、高壓電力裝備、太空與航太科技。

鴻海研究院半導體所此次聯袂陽明交通大學、德州大學奧斯汀分校開展前瞻研究合作，研究團隊透過優化β-氧化鎵的厚度和攙雜濃度，實現高開態電流、低開態電阻及高達1000萬以上的開關比，展現出優良的二維電子氣（2DEG）特性。

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持久鴻海研究院表示，此項研究在第四代半導體範疇獲得明顯沖破，為將來通訊技術和高功帶領域應用奠基根蒂根基。研究團隊將來計畫進一步優化改良β-氧化鎵的結構設計與製程手藝，為全球高功率電子產業注入新動能。

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